След.: Параметры транзисторов Выше: Биполярные транзисторы Пред.: Схемы включения транзисторов   Содержание

Статические характеристики транзисторов

Характеристики транзистора -- функции, показывающие зависимость между токами, проходящими по различным его цепям, и напряжениями на его электродах. Эти функции обычно задаются графически.

В вакуумном триоде для полного определения его поведения в схеме достаточно иметь взаимную зависимость трех величин: анодного тока, напряжения на сетке и напряжения на аноде. В полупроводниковом триоде для этого необходима взаимосвязь между четырьмя величинами: током и напряжением входной цепи, током и напряжением выходной цепи. За независимые переменные принимают $ I_{\text{вх}}$ и $ U_{\text{вых}}$ , а за функции -- $ U_{\text{вх}}$ и $ I_{\text{вых}}$ . Следовательно, может быть четыре вида статических характеристик:

  1. выходные $ I_{\text{вых}}=f(U_{\text{вых}})$ при $ I_{\text{вх}}=const$ ;
  2. входные $ U_{\text{вх}}=f(I_{\text{вх}})$ при $ U_{\text{вых}}= const$ ;
  3. передачи по току $ I_{\text{вых}}=f(I_{\text{вх}})$ при $ U_{\text{вых}}= const$ ;
  4. обратной связи по напряжению $ U_{\text{вх}}=f(U_{\text{вых}})$ при $ I_{\text{вх}}=const$ .

Для каждой из трех схем включения транзистора существуют свои семейства характеристик (таблицаA).

Вид семейств характеристик для схемы ОБ представлен на рис.36, для схемы ОЭ -- на рис.37.


Таблица A


Image tab_a


В справочниках обычно приводятся семейства входных и выходных характеристик, как наиболее удобные для расчетов. По двум имеющимся семействам легко строятся остальные. Характеристики транзистора, работающего в любой схеме включения, также можно получить, зная характеристики для какой-либо одной схемы.

Примечание. Индексы при обозначении напряжения означают:

первый -- название электрода, потенциал которого измеряется,

второй -- название электрода, относительно которого производится измерение.


Image 1x_36
Рис. 36


Image 1x_37
Рис. 37


След.: Параметры транзисторов Выше: Биполярные транзисторы Пред.: Схемы включения транзисторов   Содержание

ЯГПУ, Отдел образовательных информационных технологий
2019-11-22