Далее: Работа 7. Полупроводниковые диоды Вверх: Униполярные (полевые) транзисторы Назад: Статические характеристики и параметры   Contents

Динамические характеристики и параметры

Режим работы усилительного элемента с нагрузочным сопротивлением в выходной цепи называется динамическим (рабочим) режимом. При наличии нагрузки $ R_c$ в цепи стока полевого транзистора изменение входного напряжения $ U_{\text{зи}}$ приводит к изменению не только тока стока $ I_c$, но и напряжения на стоке $ U_{\text{си}}$. В этом случае изменение $ I_c$ происходит не по статической, а по динамической характеристике, описываемой II-м законом Кирхгофа:

$\displaystyle R_c=U_{\text{си}}+I_cR_c\,,$ (6)

где $ E=const$ -- Э.Д.С. источника питания цепи стока. Это уравнение динамического режима есть линейная зависимость тока стока от напряжения на стоке и в системе координат изображается прямой.

Image 1x_55
Рис. 42

Динамическая стоковая характеристика (линия нагрузки) строится на семействе статических стоковых характеристик (рис.42) по двум точкам:

$\displaystyle \left(I_c=0;\ U_{\text{си}}=E\right)\quad\text{и}\quad\left(I_c={E_c\over R_c};\ U_{\text{си}}=0\right)\,.$

Крутизна $ S_\partial$ динамической стокзатворной характеристики и динамический коэффициент усиления $ µ_\partial$ становится меньше чем статические крутизна $ S$ и коэффициент усиления $ µ_\partial$.

Динамические параметры $ S_\partial$ и $ µ_\partial$ можно определить графически (рис.42) с учетом соотношений

$\displaystyle S_\partial={\Delta I_c\over \Delta U_{\text{зи}}}\ \text{(мА/В)};\qquad \mu_\partial={\Delta U_{R_c}\over \Delta U_{\text{зи}}}$ (7)

и аналитически по статическим параметрам

$\displaystyle S_\partial=S{R_i\over R_i+R_c}\,;\qquad \mu_\partial=\mu{R_c\over R_i+R_c}\,.$ (8)

Формулы (8) получаются из анализа эквивалентных схем усилительного каскада на полевом транзисторе.


Далее: Работа 7. Полупроводниковые диоды Вверх: Униполярные (полевые) транзисторы Назад: Статические характеристики и параметры   Contents

ЯГПУ, Отдел образовательных информационных технологий
2017-03-06