След.: II. Оборудование и приборы Выше: Работа 7. Полупроводниковые диоды Пред.: Работа 7. Полупроводниковые диоды   Содержание

I. Описание установки

Лабораторная установка для исследования диодов состоит из панели, на которой собираются все необходимые схемы, лабораторного выпрямителя и измерительных приборов.

Изменение подводимых к схемам напряжений производится регуляторами выпрямителя.

Вольтамперные характеристики диодов снимаются в два приема: правая ветвь характеристики — при прямом включении диода (схема рис.43-а), левая ветвь — при обратном включении (схема рис.43-б).

Пределы изменения питающих напряжений и пределы измерения вольтметров указаны на схемах для диодов, исследуемых в настоящей работе (в схеме рис.43-б в скобках для опорных диодов). Пределы измерения миллиамперметров выбираются в соответствии с паспортными данными исследуемого диода.

Image 1x_39
Рис. 43

Рабочие характеристики кремниевого стабилитрона снимаются
в схеме стабилизации напряжения постоянного тока (рис.44).

Image 1x_40
Рис. 44

Расчет балластного сопротивления $ R$ производится по формулам, приведенным в параграфе "Газоразрядные стабилитроны", стр. [перейти].


След.: II. Оборудование и приборы Выше: Работа 7. Полупроводниковые диоды Пред.: Работа 7. Полупроводниковые диоды   Содержание

ЯГПУ, Отдел образовательных информационных технологий
2019-11-22