Вольтамперная характеристика полупроводникового диода
-- зависимость тока через диод от приложенного напряжения
.
Аналитическое выражение идеальной вольтамперной характеристики имеет вид:
где |
|
-- | обратный ток диода, |
-- | заряд электрона, | ||
-- | постоянная Больцмана, | ||
-- | температура окружающей среды в |
||
-- | напряжение, приложенное к диоду. |
Реальная вольтамперная характеристика (рис.31)
отличается от идеальной -- прямой ток
меньше, а
обратный ток
больше теоретического. Это
объясняется в основном влиянием посторонних примесей в
полупроводнике и его неоднородностью. До некоторого предельного
значения обратного напряжения
(точка
) характеристика соответствует теоретической. Затем
происходит пробой, обратный ток
резко возрастает,
диод выходит из строя (участок
).
Прямая и обратная ветви характеристики, ввиду значительной разницы прямых и обратных токов и напряжений, изображаются на графике в разных масштабах (см. направления стрелок на графиках и точку излома характеристики в начале координат).
Рабочая часть вольтамперной характеристики опорного
диода стабилитрона (рис.32) находится в области
электрического пробоя (участок ).
Ход вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
сильно зависит от температуры окружающей среды. Повышение
температуры приводит к росту прямого и особенно обратного токов.
Поэтому в справочниках приводят характеристики для разных
температур.
У опорных диодов положение рабочего участка характеристик от изменения температуры практически не зависит.
Германиевые диоды работают в интервале температур от
до
, кремниевые -- от
до
.