Вольтамперная характеристика полупроводникового диода -- зависимость тока через диод от приложенного напряжения .
Аналитическое выражение идеальной вольтамперной характеристики имеет вид:
где | -- | обратный ток диода, | |
-- | заряд электрона, | ||
-- | постоянная Больцмана, | ||
-- | температура окружающей среды в , | ||
-- | напряжение, приложенное к диоду. |
Реальная вольтамперная характеристика (рис.31) отличается от идеальной -- прямой ток меньше, а обратный ток больше теоретического. Это объясняется в основном влиянием посторонних примесей в полупроводнике и его неоднородностью. До некоторого предельного значения обратного напряжения (точка ) характеристика соответствует теоретической. Затем происходит пробой, обратный ток резко возрастает, диод выходит из строя (участок ).
Прямая и обратная ветви характеристики, ввиду значительной разницы прямых и обратных токов и напряжений, изображаются на графике в разных масштабах (см. направления стрелок на графиках и точку излома характеристики в начале координат).
Рабочая часть вольтамперной характеристики опорного диода стабилитрона (рис.32) находится в области электрического пробоя (участок ).
Ход вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
сильно зависит от температуры окружающей среды. Повышение
температуры приводит к росту прямого и особенно обратного токов.
Поэтому в справочниках приводят характеристики для разных
температур.
У опорных диодов положение рабочего участка характеристик от изменения температуры практически не зависит.
Германиевые диоды работают в интервале температур от до , кремниевые -- от до .